据《科创板日报》消息，存储大厂美光正在美国建设HBM产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM、在日本新建DRAM厂，目标是在2025年将公司HBM市占率提高两倍以上，达到20%左右。其背景是，全球HBM产能严重不足。据悉，HBM是AI芯片中占比最高的部分。英伟达H100成本接近3000美元，其中HBM成本为2000美元左右，大幅超过制造和封装环节。而不久前英伟达宣布，将其AI芯片更新周期从两年压缩至一年，这不仅意味着供应商需加速扩产，也敦促供应商加快技术演进。这导致，不光是2024年，存储原厂连2025年的HBM产能也已被预订一空，订单能见度甚至直达2026年一季度。因此美光选择了全球扩产。不过，因布局较晚，美光的HBM单月产能目前仍仅为SK海力士的1/19。而SK海力士虽然在HBM竞逐中保持领先，并也已走上大幅扩产的路。有消息称SK海力士计划将第5代1b DRAM产能从今年一季度的1万片增加到年末的9万片，到明年上半年进一步提升至14万-15万片。而存储三巨头之一的三星也预计今年HBM产能将增至去年的2.9倍。技术迭代方面，SK海力士和三星据悉都已完成采用16层“混合键合”的HBM内存技术验证，未来将用于HBM4量产。而我国HBM企业也已开启提速追赶之路。业内指出，目前国内已有材料公司、封测公司、IC设备厂，也有代销商等打入HBM产业链。展望后市，光大证券分析，AI芯片需求高增下，HBM的缺产状况仍会持续较长一段时间，除了海外三大存储巨头将受益需求“量价齐升”并加大资金开支，具有成本和产业链优势的国内企业，也会加速介入更多HBM生产环节。落脚到A股市场，可关注在封测、设备、材料等关键环节供货能力较强的国内企业的受益性。根据市场公开资料显示，相关概念股包括：长电科技、通富微电、华海清科、艾森股份等。